此外,AD9765ASTZ对于化合物半导体材料还要求此材料体系中的二元化合物可形成组分变化的多元囿溶体,以使LED发光波长可在在一定范围内变化,大大提高LED的光谱覆盖范围。如图3-30所示,对于ⅡI族N化物材料体系,G扒材料禁带宽度为3.牝V,激发后发射紫外光,但GaN与AlN和InN形成四元固溶体AunlGa1~vN后,随Al组分豸和In组分y的变化,理论上发光波长可以从InN的1.7um变到GaN的365nm再变到AlN的⒛Onm,而常见蓝光LED的有源区为InYG幻~N材料,其h组分为百分之十几。

    目前,主要的发光材料集中在ⅡI族化合物半导体材料,主要有三个系列,AlGaAs系列、A1GaInP系歹刂、InGaAsP系列和AlGaInN系列。

   (1)AlGaAs系列:AlxGa1~As/GaAs材料体系是在TO年代开始开发的,它是LED历史上第一种高亮度LED材料体系。A从s和GaAs的晶格失配小于0.1%,所以A1Ga1~As在整个组分变化范围与GaAs都可以看作是匹配的。A1Gal~淤s在Al组分从0到0。躬的范围为直接带隙,大于0,侣为间接带隙,A廴Gal丬As在直接带隙范围可用于制备发光波长在640~870nm范围的LED。

   (2)AlGaInP系列:从⒛世纪80年代开始,Al艿GayIn1.v lP四元合金又成为另一个研究热点,其直接能隙大小随组分变化,其发光波长扩展到可见光范围。当组分从Al017GaO34In049P变A1005:Ga0452In049P时,它和GaAs衬底保晶格匹配,与此对应发光波长从53⒛m增加到65⒍m。目前高亮度红光(625nm)、橘色光(610nm)和黄光(590nm)LED主要就是采用此材料体系