取极大值,即处于禁带中接近的深能级是最有效的复合中心,而远离的浅能级对复合影响小;随温度Γ增大,复合 AD9480BSUZ-250速率E/增大,即温度越高sRH复合越明显。

   在ⅡI-V半导体中,深能级缺陷主要来源于空位、填隙、杂质等点缺陷及位错等线缺陷。减少深能级缺陷密度,抑制sRH复合是提高半导体材料和器件发光效率的一个重要途径。俄歇复合是另一种重要的非辐射复合机制。电子一空穴对复合时,跃迁产生的能量不是通过发射光子释放,而是传递给第三个载流子,可能是电子也可是空穴,使其激发到更高的能级上,之后受激发的载流子通过发射声子失去能量回到原来的低能级。

   带间发生俄歇复合的情况,在导带中的第二个电子吸收了直接复合所释放出的能量变成一个高能电子,随后高能电子与晶格发生散射发射声子将能量和动量转化为热消耗在晶格中。