图⒍36是两种AlGaInP大功率LED产品结构,图a为德国osram的1mm×lmm的大功率AC1501-50P5LA转移硅衬底垂直器件结构,N电极在正面P电极在背面;图b为台湾晶元光电的1mm×1mm的大功率转移AlN衬底横向结构器件,N电极和P电极都在正面。

  图⒍36 两种大功率A1GaInP LED产品结构(来自产品说明书)

四元AlGaInP LED作为最早成熟发展的器件,在整个LED发展和应用过程中起到了关键作用,但与GaN基材料的研发热度比,这方面的研发投入明显偏少和落后,主要技术掌握在台湾晶元和德国osram公司,国内在大功率器件方面虽有研发,但器件光效还不能与这两家公司相比,还有较大的提升空间,值得研究者关注。