反射电极膜系主要有Ni/Au、ITO、多层金属作为插入层等体系。EP1C3T144C8研究者对Ni/Au插入层膜系研究较为透彻。Ni/Au(5nd5nm)经空气或o2氛围退火,在p-⒍Ⅸ表面得到良好的欧姆接触,主要是因为一方面金属本身电阻率低,即生成了富Au合金相的生成;另一方面由于N⒑的生成,使得金属与少GaN的接触电阻低。由于Ni对0的亲和力比Au大,在空气或者o2氛围退火过程中,Ni原子向外扩散与表面的0形成Nio,N0是一种p型半导体材料,同时Au向内扩散,形成不连续的Au岛,与少GaN紧密接触。

   作为金属与p-GaN之间的中间接触层,使得Ni/Au幻-GaN接触变为p-p双异质结Au/p-Nio/p-⒍N.其 中AwV-Ni0和p-Nio/p-GaN的接触势垒很低,分别为0,3cV和0.185eV,很容易形成良好的欧姆接触,因此Au/p-NiO/p-GaN结构具有较低的接触电阻卩剑。不过也有人对于Ni/Au体系能与少GaN形成好的欧姆接触的机理持其他观点,Macda等人卩剑认为是在o2氛围下,Mg一H键断裂使得p-GaN空穴浓度提高,而并非中间接触层p-Ni0的形成。采用Ni/Au/Ag作为倒装结构LED的电极体系,工艺相对简单成熟,但存在一些主要的缺点。