Kow-Ming Chang等人[11]在ITO与p-GaN中间插入了一层p-InGaN界面层,借助XPS、XRD、sIMS等测试结果, MLV-015D认为ITo退火后,少GaN中的Ga原子外扩散形成Ga o键和Ga空位,增加了界面的空穴浓度,这有利于载流子在ITo/p-GaN界面的隧穿。其原理如图⒋14所示,ITo退火前后ITo/p-GaN的界面发生的改变。

   退火工艺还包含金属电极的退火。对金属电极退火的作用主要是以下几个方面:

   ①形成金属与n~GaN之间的欧姆接触;

   ②形成ITo与金属之间良好的接触;

   ③增加金属层之间,以及金属与GaN及ITO之间的黏附力。对金属退火的主要参数有温度、气氛、时间等【l剑。在对金属的退火中,如果用炉管退火,则一般是在惰性气体氛围中进行,温度较低(200~300℃),时间较长(5~15min);如果用快速退火炉,则一般温度较高(ω0~⒃0℃),时间较短(10~30s)。