下面讨论在材料外延过程中,如何通过调整ⅡI族源的流量达到固相GaxIn1“P夕卜延层所期望的组分比豸。G‰In1~艿P属Ⅲ-III△V系固溶体, AAT2805IXN-4.5-T1其通式可写为戍Bl”C,表示其固相成分中AC占的比例为豸,Bc占的比例为。在MOcVD外延过程中,豸的值与气相中含有A和B原子的源的气相分压有关。

  输入反应室内含有A或B的Mo源的初始分压。图3-11给出了A1Gal”As、InxGal冫As、Gal丿nrP和A1In1~As4种材料的固一气组分关系的计算曲线和实验值冂,由图可见,这4种材料的分配系数佬基本为1,在图中为对角线。对Gal丿‰P材料来说,庀值比l稍低,表明In的并入效率低于理论预期值,这可能与TMIn在到达衬底前的预反应所造成的源消耗有关。

   根据式(3-7),通过改变输入Mo源,我们可以粗略地调整G‰Inl”P外延层中的组分x。设Mo源为TMGa和TMIn,初次实验时输入反应室的摩尔流量分别为FO TMGa和FO TMIn,生长结束后利用XRD可测得组分。rO。由于Mo源的气相分压与其输入反应室的摩尔流量成正比,将式(3-7)中的中威和腻分别用FO TMGa和FO TMIn代替,艿用jro代替,则可求得G‰In1“P材料外延过程中的分配系数虍。如果要将Ga.Inl“P材料的组分调整到希望的值豸l,可以固定TMGa和TMIn中一个的流量,而只改变另一个的流量。