MOCVD反应室分系统
发布时间:2016/7/28 21:43:52 访问次数:649
反应室是整个MOCVD设备最为核心的部分,主要包含进气分配系统、放置衬底的基座、 A1109AS-H-6R8M加热器和温度测量系统,在工业生产或特殊实验应用中,反应室一般还配有自动装卸托盘或外延片的机械手。
外延生长的反应室结构与功能要点
实现外延材料均匀沉积的关键是实现反应腔内均匀合理的流场和温场,并高效利用反应源。MOCVD反应室结构,必须围绕这个核心,实现如下几个关键的功能特点:
要在反应室进气部分及反应室内部实现气体层流流动、避免或有效限制涡流。在高温和特殊气氛等复杂的反应环境中,层流有利于气源的均匀分布和材料的可控生长,而涡流会影响到外延层的厚度、组分和掺杂均匀性,更进一步,它会影响外延层界面陡峭程度、本底杂质、表面形貌,对整个LED的生长和电学及光学特性产生不利影响。这类问题可以从反应腔机械结构、形状尺寸以及热场两方面考虑如何优化,以便使流体畅通,并抑制涡旋。
反应室是整个MOCVD设备最为核心的部分,主要包含进气分配系统、放置衬底的基座、 A1109AS-H-6R8M加热器和温度测量系统,在工业生产或特殊实验应用中,反应室一般还配有自动装卸托盘或外延片的机械手。
外延生长的反应室结构与功能要点
实现外延材料均匀沉积的关键是实现反应腔内均匀合理的流场和温场,并高效利用反应源。MOCVD反应室结构,必须围绕这个核心,实现如下几个关键的功能特点:
要在反应室进气部分及反应室内部实现气体层流流动、避免或有效限制涡流。在高温和特殊气氛等复杂的反应环境中,层流有利于气源的均匀分布和材料的可控生长,而涡流会影响到外延层的厚度、组分和掺杂均匀性,更进一步,它会影响外延层界面陡峭程度、本底杂质、表面形貌,对整个LED的生长和电学及光学特性产生不利影响。这类问题可以从反应腔机械结构、形状尺寸以及热场两方面考虑如何优化,以便使流体畅通,并抑制涡旋。
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