氢化物供应子系统
发布时间:2016/7/28 21:39:25 访问次数:465
在GaN的MOCVD外延生长中,氢化物主要是作为V族源组分的NH3和作为n型掺杂源的sm4或乙硅烷si2H6等。图l-7为氢化物供应子系统示意图,A1109AS-H-3R3M图中给出了标准管路和双稀释管路两种设计。标准管路用于NH3,配以N2和H2作为补充和调节比例。NH3和各载气的流量由各自MFC来控制。在实际应用中,会为液氨钢瓶或槽罐配置加热器以补偿气化时吸热造成的降温,保证高流速氨气的有效供应。并且会在源瓶罐底部增加电子秤以称量源的消耗量;出于安全和有效监控运行的考虑,甚至还会配置在线露点仪、浓度监测仪等进行实时监控。
在GaN的MOCVD外延生长中,氢化物主要是作为V族源组分的NH3和作为n型掺杂源的sm4或乙硅烷si2H6等。图l-7为氢化物供应子系统示意图,A1109AS-H-3R3M图中给出了标准管路和双稀释管路两种设计。标准管路用于NH3,配以N2和H2作为补充和调节比例。NH3和各载气的流量由各自MFC来控制。在实际应用中,会为液氨钢瓶或槽罐配置加热器以补偿气化时吸热造成的降温,保证高流速氨气的有效供应。并且会在源瓶罐底部增加电子秤以称量源的消耗量;出于安全和有效监控运行的考虑,甚至还会配置在线露点仪、浓度监测仪等进行实时监控。
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