多层结构。采用以OMI-SS-112LM金为基材的多层金属化层,如Pt2S圮-△~Pt―Au层,其中Pt2s圮与硅能形成良好的欧姆接触。钛是黏附层,铂是过渡层,金做导电层。

   对于微波器件,常采用Al―Cr―Au及Al―Ⅺ―Au层,多层金属化使工艺复杂,提高了成本。

   覆盖介质膜。由于如PSG、A1203或⒐3N4等介质能抑制表面扩散,压强效应和热沉效应的综合影响,延长铝条的中位寿命。

   应力迁移

   当铝条宽度缩减到3um以下时,经过温度循环或高温处理,也会发生铝条开路断裂失效。这时空洞多发生在晶粒边界处,这种开路失效叫应力迁移,以与通电后铝条产生电迁移的失效区别。铝条越细,应力迁移失效越严重。

   半导体集成电路中,钝化层是圆晶制造工艺的最后一步,用于保护芯片的表面。形成钝化层的温度高达数百摄氏度。这个过程中,铝互连线和钝化层或衬底氧化层之间的热膨胀系数不同,导致热应力产生。这种应力由空隙从晶粒内部扩散到晶界(一般称之为“爬行”现象),为缓和这种应力,铝原子可发生位错、滑动等移动,致使某些位置产生楔形的空隙或撕裂形的空隙。