(1)短路。互连线HBD040YGE-A因电迁移而产生小丘堆积,引起相邻两条互连线短路,在微波器件和VLSI中尤为多见。铝在发射极末端堆积,可引起EB结短路。多层布线的上下层铝条间也会因电迁移发生短路等。

   (2)断路。在金属化层跨越台阶处或有伤痕处,应力集中,电流密度大,可因电迁移而发生断开。铝条也可因水汽作用产生电化学腐蚀而开路。

   (3)参数退化。电迁移还可引起EB结击穿特性退化、电流放大系数‰变化等。

   抗电迁移措施可从设计、工艺、材料芯片表面和覆盖介质膜方面进行考虑。

   设计。合理进行电路版图设计及热设计,尽可能增加条宽,降低电流密度,采用合适的金属化图形(如网络状图形比树状结构好),使有源器件分散。增大芯片面积,合理选择封装形式,必要时加装散热器防止热不均匀性和降低芯片温度,减小热阻,有利于散热。