Al膜是比较活泼的金属,在大气HCF4051BEY下易被氧化形成Abα,A12α会带来如下影响:

   (1)接触电阻增大;

   (2)抑制溅射;

   (3)A1203与P易形成HPo3,HP⒐会与Al反应,引起腐蚀。

   芯片的制造过程中不希望有小丘的产生,但实际上工艺过程中难以避免。产生小丘基本有如下几个因素:

   (l)H2易引起小丘;

   (2)预除气不充分;

   (3)高温易引起Si的沉积,产生小丘;

   (4)被污染的薄膜易产生小丘。

   如果薄膜内含有△,可抑制小丘的产生,这就是Al靶材加入少量△的原因,降低小丘的方法有:

   (1)Al膜溅射后快速冷却;

   (2)降低溅射温度;

   (3)降低膜的厚度;

   (4)降低⒐的合金含量。