叠层片式陶瓷压敏电阻器(MLV)。Zn0半导体陶瓷压敏电阻器已有多年历史，应DG409DY-E3用范围广泛。特别是在中压和高压电器的保护和防雷电中受到青睐。但由于其压敏电压与两个电极之间的距离成比例，因而块状结构的Zn0压敏电阻器在体积和低电压方面均不可能满足现代电子产品的要求。近年来人们利用陶瓷叠层共烧技术，用掺杂改性Zn0半导体陶瓷材料制造出了结构与MLCC完全相同的叠层片式Zn0压敏电阻器。其特点是：压敏电压低（可 低达2V左右）、通流量大、响应速度快、可靠性高、电容量的选择范围大。

   叠层片式陶瓷穿心压敏电阻器(MLVF)。叠层片式陶瓷压敏电阻器的响应时间（正）和自谐振频( SRF)与寄生电感(/p)有密切关系，岛越大，正越长，SRF越低。如果将叠层片式陶瓷压敏电阻器做成穿心式结构，如叠层三端穿心电容器那样，则其寄生电感岛将有70%转移到输入／输出线上，这样就缩短了Tr，提高了SRF，而且组成了一个T形LC低通滤波器，有助于抑制高频噪声。

   金属氧化物变阻器(MOV)。金属氧化物变阻器专为抑制过电压而设计，MOV是一种电压钳位元件，其阻抗与电压有关，如电压超过其阈值则其阻抗将变得非常小。MOV具有高的-矿非线性特性，反应速度快，能承受很高峰值电流，漏电流又较低。MOV的圭要用途是保护那些必须满足瞬态电压浪涌抑制器UL1449各项要求的电子产品免受雷电损害，在敏感电路中安装的MOV器件可以将雷击带来的不利影响最小化。

   瞬态电压抑制器。瞬态电压抑制器可提供双向钳位保护，该器件可用来吸收电路的瞬态波形和高峰值浪涌电流。瞬态电压抑制器有双极性、单极性和编程式3种类型，并采用表面安装、D0214AA封装和直插式T0-202封装。