电荷存储方式的基本原理是：如果R5F211B2SP把光电二极管的PN结反向偏置到某一固定偏压（一般为几伏），然后断开电路，那么存储在二极管电容上的电荷的衰减速度与入射光照度成正比。下面结合SSPD电路进行分析。

   我们取出SSPD中的一位电路来分析，如图7.36 (a)所示。其中，Cd为光电：极管的等效电容（包括PN结电容和附加的MOS屯容），RL为负载电阻，矿为视频线偏压，VT，为与第f位二极管VDf相连的MOS FET开关，Pi为第f位移位寄存器输出的采样脉冲信号。这里暂不考虑视频等效电容Cd。图7.36 (a)可转化为图7.36 (b)所示的等效电路。这里如为二极管在反偏下的暗电流，五为光电流。

   设tl时刻Pj为一负脉冲，如图7.36 (c)所示，则VTi导通，偏压电源V通过负载电阻R和开关VTz使二极管电容Cd很快充电到偏压矿，因而在Cd上存储电荷Q=Cd Vo。当毋的负脉冲结束后，VL截止，二极管VD，和电路断开，Cd上充满的电荷逐渐衰减。在无光照时，光电流五=0，只有二极管的暗电流使电荷Q缓慢泄放。到下次采样脉冲到来时（t2时刻）。