为了理解在CCD中势阱及电荷是如何从一个位置移到另一个位置的，如图7.18所示，取CCD中四个彼此靠得很近的电极来观察。假定开始时有。FDS9435A些电荷存储在偏压为10V的第：个电极卜面的深势阱里，其他电极上均加有大于阈值的较低电压(如2 V)。设图7.18 (a)所示为零时刻，过f-时刻后，各电极上的电压变为如图7.18(b)所示，第二个电极仍保持为10V，第j个电极上的电压由2V变为10V，因为这两个电极靠得很紧（间隔只有几微米），故它们各自的对应势阱将合并到一起。原来在第二个电极F的电荷变为这两个电极下的势阱所共有，如图7.18 (b)和(c)所示。若此后电极上的电压变为如图7.18 (d)所示，第二个电极电压由10V变为2V，第三个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移刭第．ji个电极F的势阱中，如图7.18 (e)所示。由此可见，深势阱及电荷包向右移动了…个位置。

   通过一定规则变换的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按·定的方向移动。通常把CCD电极分为几组，并施加同样的时钟脉冲。CCD的内部结构决定了使其正常工作所需的相数。图7.18所示的结构需要三相时钟脉冲，其波形如图7,18 (f)所示，这样的CCD称为三相CCD。三相CCD的电荷耦合（传输）方式必须在三相交迭脉冲的作用下才能以一定的方向，逐个单元地转移。

   应该指出，CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地由一个电极转移到相邻电极卜。能够产生完全耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构、表面态密度等因素决定。

   以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称P型CCD。由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，所以N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。