硅光电二极管两端电压，是非线性函数，可利用图解法进行计算。如图5.28 (c)所示， H5PS1G63EFR-Y5C在伏安特性曲线上画出负载线U(/)=饥- /RL，它是一条斜率为- 1/RL.通过U=饥点的直线，与纵轴交于既/RL点。由于串联回路中流过各回路元件的电流相等，负载线和对应于输入光通量为哦时的器件伏安特性曲线的交点Q即为输入电路的静态工作点。当输入光通量由哦改变士△函时，在负载电阻RL上会产生+AU的电压信号输出和土Ⅳ的电流信号输出。

   上述图解法特别适用于大信号状态下的电路分析。例如，在大信号检测情况下可以定性地看到输出信号的波形畸变；在用作光电开关的情况下可以借助图解法合理地选择电路参数，使之能可靠地开关，同时保证不使器件超过其最大工作电流、最大工作电压和最大耗散动率。图5.29给出了输入电路参数RL和既对输出信号的影响。在图5.29 (a)中，当偏置电压Ub不变时，对于同样的输入光通量哦士△多，负载电阻R的减小会增大输出信号电流而使输出电压减小。但RL的减小会受到最大工作电流和功耗的限制。为了提高输出信号电压，应增大RL，但过大的RL会使负载线越过特性曲线的转折点M而进入非线性区，而在非线性区，光电灵敏度Se= A//A<P不再是常数，这会使输出信号的波形发生畸变。另外，在图5.29 (b)中，对应于相同的RL值，当偏置电压饥增大时，输出信号电压的幅度也随之增大，并且线性度得到改善；但电路的功耗随之加大，并且过大的偏置电压会引起光电二极管的反向击穿。利用图解法确定输入电路的负载电阻RL和反向偏压‰值时，应根据输入光通量的变化范围和输出信号的幅度要求使负载线稍高于转折点M,以便得到不失真的最大电压输出，同时保证乩不大于器件的最大工作电压Um。