图7.23所示是一维LCCD三相单沟道线阵CCD的结构原理图。

   由图可知， R144EFXLR6664-12单沟道线阵CCD由光敏阵列、转移栅、CCD模拟移位寄存器和输出放大器等构成。光敏阵列一般由光栅控制的MOS光积分电容或PN结光电二极管构成，光敏阵列与CCD模拟移位寄存器之间通过转移栅相连，转移栅既可以将光敏区与模拟移位寄存器分隔开来，又可以将光敏区与模拟移位寄存器沟通，使光敏区积累的电荷信号转移到模拟移位寄存器中。通过加在转移栅上的控制脉冲，完成光敏区与模拟移位寄存器隔离与沟通的控制。当转移栅上的电位为高电平时，二者沟通；当转移栅上的电平为低电平时，二者隔离。二者隔离时，光敏区再进行光电注入，光敏单元不断地积累电荷。有时将光敏单元积累电荷的这段时间称为光积分时间。转移栅电极电压为高电平时，光敏区所积累的信号电荷将转移栅转移到CCD模拟移位寄存器中。通常转移栅电极为高电平的时间很短，为低电平的时间很长，因而光积分时间要远远超过转移时间。在光积分时间里，CCD模拟移位寄存器在三相交叠脉冲的作用下一位位地移出器件，经输出放大器形成时序倍号（或称视频信号）。

   这种结构的线阵CCD转移次数多，效率低，调制传递函数MTF较差，只适用于光敏单元较少的摄像器件。