掺杂型电阻器：集成电NCP4894DMR2G路中的大多数电阻器都是由氧化、掩膜和掺杂工艺顺序生成的（见图16.2）。在氧化层表面生成一个图形。典型的电阻器是哑铃形的（见图16.3）。两端的矩形作为接触区，中间细长的部分起到电阻器的作用。用这个区域的方块电阻和其所包含的方块的数量就可以计算出这个区域的阻值。方块的数量等于电阻区域的长度除以宽度。

   在掺杂和随后的再氧化工艺结束后，两端的矩形区域刻蚀出接触孔以便将电阻器连接到电路中。一个电阻器有两个接触点，是没有结的器件。术语no-junction的含义是电流在两个接触区之间流动，而没有穿越NP结或PN结。然而结可以起到限制流经电阻区域电流的作用。

   由离子注入进行掺杂而生成的电阻器比那些在扩散区域生成的电阻嚣的阻值更容易控制。掺杂型电阻器可以在整个制造工艺中的任何一个掺杂步骤中生成。一个基于双极型的掩膜就会有基本图形和一套电阻器的图形。在MOS电路生成源极和漏极的掺杂步骤中，同时也生成电阻器。电阻器的掺杂参数（方块电阻、深度和掺杂量）与晶体管是一样的。在这些方案中，晶圆上其他所有芯片器件（层）被做完后，形成电阻器的接触孔。