还町以使用非接触的光学形貌仪测量薄膜厚度或台阶高度。除了一束光束扫过表面和薄膜台阶，IRF3205S并反射到探测器外，测试方案类似于触针形貌仪。在反射束的变化被转换成台阶高度。这个技术在14.9节将进一步论述。

   光声法

   一种非破坏性厚度测试依靠光声原理。在1877年，亚历山大·格雷厄姆·贝尔( AlexanderGraham Bell)友现在特定的环境，光波的干涉将产生声音。在半导体厚度应用中，一束激光被转换成细微的声音，依次在晶圆表面上薄膜的两个表面反射。通过测量在两个脉冲间的反射延迟，就能计算出其厚度。

   四探针薄层电阻测量法也能用于测量薄膜厚度。在前面章节介绍r这种方法和计算。

   超薄MOS场效应晶体管栅厚度

   金属一氧化物一半导体场效应晶体管( MOSFET)按比例缩小将栅的厚度减到10 nm的范围。厚度、面积和材料完整性都影响着器件的性能。这三者的测量对于工艺控制和器件工作是关键。采用专门的激光源和数据处理的商业椭偏仪可以测量在纳米范围的二氧化硅、氮化硅和二氧化钛的膜厚度。    

   由于这3个变量的量级和相互影响是关键，如果给出这些长度是原子直径的量级上，在测试器件上进行电容（capacitance）或电压(voltage)的测量（见14. 11.3节）。这些描绘出器件功能的实际形貌，超过物理测量方法。