采用CVD方法淀积的二氧化硅膜在结构和化学计量上不同于热生长的氧化膜、视淀积温度的不同，HD6413004F16淀积的氧化物具有比较低的密度和不同的机械性能，如折射系数、对裂纹的抵抗、绝缘强度和刻蚀速率。薄膜掺杂对这些参数有较大的影响。在许多工艺中，对淀积的薄膜采取高温热处理，称为致密( densification)作用。在致密过程之后，淀积的二氧化硅膜在结构和性能上接近热氧化膜。

   由于铝和硅的合金过程不允许在450℃以上进行，所以需要在低温下淀积Si07．、早期使用的淀积工艺是采用水平热传递APCVD系统，通过硅烷和氧气的反应得到：

   S1H4 +02—+S107 +2H7

   这种‘[艺形成的薄膜，由于是在450℃淀积，薄膜的质量较差，并不适用于高级的器件设计和较大的晶圆。

   I,PCVD系统的开发为获取高质量的薄膜提供了可能，特别是对台阶覆盖和低应力等因素i

   从质量和生产效率的角度考虑，LPCVD工艺是首选的淀积技术。二氧化硅在高温( 900℃)LPCVD中采用二氯硅烷与氧化氮反应形成的：

   SiCl-,H7 +2N07—,Si0. +2N7 +2HC1

   正硅酸乙脂( TEOS)：到目前为止-二氧化硅的淀积主要来源于Si( OCzH，)，称为TFOS(: rrEOS的历史町追溯到20世纪60年代。早期的系统依赖于TEOS在750C左7i高温时的分解。目前的淀积是基于20世纪70年代确丑的热壁LPCVD系统，温度在400qL：以}^

与等离子体配合（PECVD或PETEOS）使用的TEOS允许淀积温度在亚400。C范围Ⅳ■对0.5p4m的器件，这种t艺在高深宽比图形的覆盖一致性上受到限制  通过在反应气流巾加入臭氧(0)r玎以改进台阶覆盖的性能31。