虽然掺杂的Ⅸ域和PN结形成电路中的电子有源元件的核心，但是需要各种其他半导体、 AD7548SQ/883绝缘介质和导电层完成器件，并促使这些器件集成为电路。有几种技术可以将这些层加到晶圆的表面，j莺要一螳是化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、电镀、旋转涂敷和蒸发。本章将描述最常用的CVD技术和淀积在晶圆表面的半导体材料。PVD、电镀、旋转涂敷和蒸发工艺将存第13章描述。

   光刻掩膜技术的进步已经促进了甚大规模集成电路( ULSI)的制造。随着电路尺寸的不断缩小，也开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。在20世纪60年代，双极器件已经采用r化学气相淀积技术完成的双层结构，即外延层和顶部的二氧化硅钝化层（见图12.1），而早期的MOS器件仅有一层钝化层（见图12.2）。到20世纪90年代，先进的MOS器件具有4层金属内部连接，需要许多淀积层。这“堆叠”已经伴随更多金属层、器件方

案和绝缘层，专rJ的金属化技术将在第13章论述。通用器件结构将在第17章论述。