对于终端抽真空，优选是低AD7010ARS 温泵。在工艺过程中产生的沾污有来自晶圆除气的氮气和来自光刻胶掩蔽层氢气。低温泵（见第13章）是捕获型的，并保持氢气这一潜在危险冻结在泵中。

   机械运动可能比离子注入本身的时间更长。改进包括装卸片锁，使得装载晶圆时无须破坏靶室的真空。一个大的挑战是在如此多的机械运动下保证靶室内的低微粒数13。靶室内防静电器件的安装是关键。静电机械手（没有机械夹具）是一种选择16]。

   晶片破碎时的碎片和粉尘会造成污染，需要非常耗时的清洁工作。晶圆袁面的污染造成阴影效应，阻碍粒子束流入射。必须保持生产速度，必须可以快速实现真空以开始注入，同

时快速恢复到常压以卸片。靶室可能装有探测器（法拉第杯）以计数注入晶圆表面的离子数。这套监测系统使工艺自动化，允许离子束接触晶圆，达到正确的剂量。

   高束流注入可能造成晶圆升温，这些机器设备通常在晶圆固定装置上有冷却机构。这些机器设备还装有泛流电子枪( electron flood gun)（见图11. 28），泛流电子枪被设计为使电荷积累最小化，电荷积累会导致吸附沾染物。