掺杂是将特定最的杂质通过薄膜扦引入晶圆表层：艺过程（见图4.14）  它有两种SSS4N60B艺方法：热扩散( thermal diffusion)和离子注入(ion implantation)，将在第1 l章中详细阐述热扩散是在1000 cC左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素气态下、扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内，，气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜，在芯片应用中，热扩散也称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。、扩散掺杂是一个化学反应过程  由物理规律支配杂质的扩散运动.

   离子注入是一个物理过程，晶圆被装在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另·端在离子源一端，掺杂体原子被离子化（带有一定的电荷），被电场加到超高速，穿过晶圆表层，原子的动鼍将掺杂原子注入晶圆表层，就好像一粒子弹从枪内射入墙中.

   掺杂I：艺的目的是在晶圆表层内建立兜形区，如图4. 15所示，或是富含电子（N型）或是寓含审穴（P刭）  这些兜形区形成电性活性区和PN结，在电路中的晶体管一二极管、电容器、电阻器都依靠它.