与砷化镓有竞争性的材料是锗化硅( SiGe)。、这样的结合把晶体管的速度提高到町以应用于超高速的对讲机和个人通信设备当中’。UA9636ACDR器件和集成电路的结构特色是用超高真空／化学气相沉积法( UHV/CVD)来淀积锗层。4，、双极型晶体管就形成在锗层七，不同于硅技术中所形成的简单晶体管，锗化硅需要晶体管具有异质结构( heterostructure)和异质结(heterojum:tion)这些结构有好几层和特定的掺杂等级，从而允许高频运行二主要的半导体材料和二氧化硅之间的比较列在图2. 14中。

   多年来体硅是微芯片制造的传统衬底。，电性能要求新的衬底，例如像在蓝宝石这样的绝缘层t：硅( SOI)，金刚石上硅(SOD)。金刚石比硅散热更好。另一种结构是淀积在锗硅晶圆卜的应变硅层。当预先在绝缘屡E淀积的Si/Ge( SOI)层上淀积硅原子，会产生应变硅、，Si/Ge原子之间间距比正常的硅更宽。在淀积过程中，硅原子对着Si/Ge原子“伸长”，沾污硅层，电效应是降低硅的电阻，使得电子运动加快70%。这种结构为MOS晶体管的性能带来厂益处（见第16章）。