半导体器件的参数容差设置
发布时间:2015/8/24 21:10:11 访问次数:974
PSpice A/D中的半导体器件模型参数的设置方法与电阻情况类似。例如图4.3.2电路中,BS62LV8007EC-70为晶体管40237的模型参数设置容差参数,可以先选中晶体管,单击鼠标右键选择快捷菜单中的“Edit PSpice Model”子命令,屏幕上出现晶体管的模型参数描述。若要为晶体管的电流放大倍数Bf设置10%的容差,只要将模型参数描述中的Bf=288.5一项改为Bf=288.5Dev=10%即町。
蒙特卡罗分析参数设置
除了元器件容差参数以外,蒙特卡罗分析中需要设置的参数都是在分析参数设置对话框中完成的。下面结合图4.3.2中的共射放大电路,说明蒙特卡罗分析工具的基本方法。
器件容差设置:根据上面设置容差的方法,将共射放大电路中的电阻均改为BREAKOUT库中的Rbreak,并按图4.3.24所示设置它们的容差,晶体管40237的电流放大倍数设置10%的Dev容差模式。
PSpice A/D中的半导体器件模型参数的设置方法与电阻情况类似。例如图4.3.2电路中,BS62LV8007EC-70为晶体管40237的模型参数设置容差参数,可以先选中晶体管,单击鼠标右键选择快捷菜单中的“Edit PSpice Model”子命令,屏幕上出现晶体管的模型参数描述。若要为晶体管的电流放大倍数Bf设置10%的容差,只要将模型参数描述中的Bf=288.5一项改为Bf=288.5Dev=10%即町。
蒙特卡罗分析参数设置
除了元器件容差参数以外,蒙特卡罗分析中需要设置的参数都是在分析参数设置对话框中完成的。下面结合图4.3.2中的共射放大电路,说明蒙特卡罗分析工具的基本方法。
器件容差设置:根据上面设置容差的方法,将共射放大电路中的电阻均改为BREAKOUT库中的Rbreak,并按图4.3.24所示设置它们的容差,晶体管40237的电流放大倍数设置10%的Dev容差模式。
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