检测硅整流桥的注意事项
发布时间:2015/8/1 18:28:04 访问次数:617
(1)整流桥内部整流管也可能因击穿而造成开路损坏,此时应结合电路做具体分析。ICE3BR4765JG例如,若测得b-c间正、反向电阻均呈无穷大,则肯定是VD4已开路。
(2)对于其他型号的整流桥,利用R×lk挡测出的正向电阻值会有差异,但判断方法相同。亦可选择R×100挡、R×10挡或R×1挡测量,都不会损坏整流管。此方法亦适于检测硅整流半桥。
(3)两只整流管相串联(例如图6-19中的VDi、VD2)时.测它的正向电阻Rd。要比单独测每只管子正向电阻后再相加的数值大一些。即Rd。>Rd。+R。。。查表6-6,单测VDi或VDz的正向电阻仅lok,Q,而Rd。一27kQ>20kS!。其原因是整流管属于非线性器件,正向电阻与正向电流的大小有关。
(4)采用测量负载电压法可以测量各桥臂上整流管的正向压降。为使测量值接近于工作值,应选择万用表的R×1挡测量UF。
(5)目前市场中也有整流桥的伪劣产品存在,有的管壳上印的交、直流侧标记错位。若按所标引脚位置接人电路,就会烧毁整流桥。为安全起见,焊接前先用万用表查明实际引脚位置与标记是否相符。倘若不符,应以实际位置为准。
(6)使用大、中功率整流桥时需配合适的散热器,并在二者接触面上涂一层导热硅脂,以降低PN结的结温,避免过热损坏。
(1)整流桥内部整流管也可能因击穿而造成开路损坏,此时应结合电路做具体分析。ICE3BR4765JG例如,若测得b-c间正、反向电阻均呈无穷大,则肯定是VD4已开路。
(2)对于其他型号的整流桥,利用R×lk挡测出的正向电阻值会有差异,但判断方法相同。亦可选择R×100挡、R×10挡或R×1挡测量,都不会损坏整流管。此方法亦适于检测硅整流半桥。
(3)两只整流管相串联(例如图6-19中的VDi、VD2)时.测它的正向电阻Rd。要比单独测每只管子正向电阻后再相加的数值大一些。即Rd。>Rd。+R。。。查表6-6,单测VDi或VDz的正向电阻仅lok,Q,而Rd。一27kQ>20kS!。其原因是整流管属于非线性器件,正向电阻与正向电流的大小有关。
(4)采用测量负载电压法可以测量各桥臂上整流管的正向压降。为使测量值接近于工作值,应选择万用表的R×1挡测量UF。
(5)目前市场中也有整流桥的伪劣产品存在,有的管壳上印的交、直流侧标记错位。若按所标引脚位置接人电路,就会烧毁整流桥。为安全起见,焊接前先用万用表查明实际引脚位置与标记是否相符。倘若不符,应以实际位置为准。
(6)使用大、中功率整流桥时需配合适的散热器,并在二者接触面上涂一层导热硅脂,以降低PN结的结温,避免过热损坏。
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