当测量小功率超高频晶体管CG36的发射结反向击穿电压BVEBO时，若所加 DS1302Z+T反向电流ICBO大于ImA，将使其小电流下的电流放大系数矗FE明显下降。测量时，持续时间越长，或者所加ICBO越大，则^FE衰减量越大。在ICBO一lOmA，持续时间为5s时，^FE将减少50%左右。如果^ FE衰退不严重，则衰退后经过电功率老化，可能^FE会变大而复原。如CG36，当hFE降低量小于30%时，进行lOOmW满功率电老化48小时后，^FE可基本复原。但这种

器件在以后的长期工作期间，hFE稳定性很差。对于浅结超高频晶体管，特别容易出现这种矗FE衰退现象。

   习题

   1．对比化学电池和物理电池的优缺点。

   2．简述太阳电池的工作原理。

   3．电子元器件在焊接中应注意的事项有哪些？

   4．从电子市场上结合实际，讨论电子元器件在运输、储存等过程中的可靠性措施。