碳膜电阻器的失效分析可以采用非破坏性检测和破坏性解剖分析两类方法。FBMH2012HM800-T非破坏性检测主要有：外观检查、X射线检验、电性能测量等。破坏性解剖分析是检测电阻体内的构和缺陷，从而正确地确定失效原因：以便从根本上改进产品质量和可靠性指标。

   (1)失效分析方法及程序

   碳膜电阻器的失效分析方法与产品的失效模式和失效机理密切有关。表5.2列出碳膜电阻器对应于不同失效模式和失效机理的失效分析方法及其程序。

   表5.2中的单字母符号代表不同的失效机理，其中，A是杂质污染；B是引线脱落；C是电阻体破裂；D是陶瓷基体破裂；E是金属端头脱落；F是刻槽损伤；G是金属帽盖装配不当；H是电阻轨道氧化物还原；I是电阻体截面过小；J是静电作用；K是引线电镀质

量差；L是引线破裂。

   表5 2碳膜电阻器的失效分析方法及程序

    “分析内容”的含义包括几个方面。其中，Ml：记录所有鉴定标志和外部损伤（一般照相）；M2:如果使用固定聚焦射线照相，则应在相互关联的两正交面上进行，以便能记录电阻器的任意内在缺陷，如果使用光导摄像，则按所观察到的情况进行鉴定和记录；M3：在规定温度（室温和临界高、低温）下测量，记录阻值；M4：进行小冲击试验，记录阻值最大变化（比较试验，即其试验结果与好的基体在同等条件下的试验结果相比较）；M5:在规定温度条件下测量阻值并记录阻值变化；M6：去除电阻体外表涂层或外壳，在显微镜下观察或照相等，解剖分析时必须小心，勿使重要的缺陷漏掉或被破坏；M7：可结合破坏性分析技术一起

进行；M8：要求鉴定失效部位，进行耐温、振动、温度循环和短时过负荷试验。