闩锁效应是指CMOS电路中寄生的固有可控硅结构被外界因素触发寻通，HCPL-7800A在电源和地之间形成低阻通路现象，一旦电流流通，电源电压不降至临界值以下，导通就无法终止，引起器件的烧毁，构成CMOS电路一个主要的可靠性问题。随着集成度的提高，尺寸缩小，掺杂浓度提高，寄生管的hFE变大，更易引起闩锁效应。

   由于CMOS IC结构形成了PNPN四层寄生可控硅(SCR)结构，也可视作PNP管和NPN管的串联，这种寄生的晶体管的E-B结都并联一个由相应衬底构成的寄生电阻，因此触发闩锁效应的条件为以下方面。

   1)寄生NPN(PNP)三极管的共基极电流增益aN(aP)间有关系，Rw、Rs分别为晶体管E-B结上并联的寄生电阻，r。N、r。，是相应发射极串联电阻。

   2)电源电压必须大于维持电压UH，它所提供的电流必须大于维持电流IH。

   3)触发电流在寄生电阻上的压降大于相应晶体管E-B结上正向压降。

   触发信号可以是外界噪声或电源电压波动；触发端可以是电路的任意端。下面以输出端的噪声触发为例来分析其触发的物理过程，其他端的情况类似。