1)采用含硅量为o.i26～o. 3%的硅铝合金代替纯铝作为互连线材料。采用硅铝合金的优点是， LC75382E因膜内硅的含量已达饱和，可防止硅在铝中进一步溶解，避免了渗透坑的形成。此外，它的抗电迁移能力强，硬度比纯铝高，可减少机械划伤。

   2)采用多层金属化系统或金属硅化物代替纯铝，如用Al-Ti-Si、Al-( Ti占10%，W占90%)-PtSi-Si多层系统等。

   3)在铝一硅之间加NiCr、Mo、Ti等用于阻止因直接接触而发生反应的阻挡层。在激波及ECI。电路中也有用多晶硅膜作为阻挡层的。

   金引出线与铝互连线间或铝键合丝与管壳镀金引线的键合处，产生Au-Al界面接触。由于这两种金属的化学势不同，经长期使用或200℃以上高温存贮后将产生多种金属间化合物，如Aus Al2、Au2Al、AU4 Al、AuAl、AuAl2等，其品格常数和热膨胀系数均不相同，在键合点内产生很大应力，电导率较低。Au-Al反应造成Al层变薄，粘附力下降，造成半断线状态，接触电阻增加，最后导致开路失效。

   AuAI2发紫色，叫紫斑；而Au2 Al呈白色，叫白班，性脆，极易产生裂纹，驯起开路。

   Au-Al接触在300℃以上高温下容易发生空洞，这叫Kirkendall效应。这是高温下金向铝中迅速扩散并形成Auz Al的结果，它在键合点四周出现环形空洞，使铝膜部分或全部脱离，形成高阻态或开路。

   金一铝键合处开路失效后，在电测试中又会恢复正常，表现出时通时断现象，此时可进行高温（200℃以上）存贮，通过观察开路失效是否再次出现来确定。