由于高温促使无器件内部或表面的化学反应加速，使早期失效的元器件提前失效，CPC1231N从而暴露出早期失效产品。如果在集成电路封装的管壳内含有水汽或各种有害气体，或者芯片表面不清洁，或者在键合处存在各种不同的金属成分等，都会产生化学反应，高温储存可加速这些反应。它是通过热应力来加速储存寿命的筛选试验，该种筛选方法的最大优点是操作简单易行，可以大批量进行，而且筛选效果也比较好，投资又少，因而它是最便宜的一种试验，并且是目前比较普遍采用的筛选试验。

   高温储存温度，对于硅器件而膏，金一铝系统一般选用150℃，铝一铝系统选用200℃，金一金系统选用300℃，储存时间则一般为24～168小时。

   高温工作筛选

   高温工作筛选一般有高温直流静态、高温交流动态和高温反偏三种筛选方法，对于剔除器件表面、体内和金属化系统存在的潜在缺陷引起的失效十分有效。高温反偏是在高温下加反偏工作电压的试验。它是在热电应力的共同作用下进行的，与实际工作状态很接近，所以比高温储存筛选的效果好。