黑硅纳米结构是电子产业界的一种革命性新材料，相比于传统的硅材料，黑AT90S8515-4AC硅纳米结构具有很强的光吸收能力，它对近红外波段的光几乎全部吸收，吸收率能实现在90%以上。在无需使用特殊材料的前提下，多种制备黑硅纳米结构的方法已经可以嵌入到目前的半导体制造工艺中。鉴于其较高的红外吸收效率及其与CMOS工艺相兼容的特性，黑硅纳米结构可作为一种全新的红外吸收材料应用于MEMS红外探测器中，进而提高探测器的优值。

   基于黑硅吸收层的多层纳米膜探测器

   因气体泄漏或过量等引起的各种事故以及自然灾害的预防和预警，已成为人们研究的重要任务，因而研究新型的气体传感器，实现对气体的高灵敏检测是解决本问题的关键。

   基于黑硅吸收层的多层纳米膜探测器及其集参比波长与检测波长为一体的新型光学气体传感器，它能在常温下工作，且具有多光谱、高灵敏的检测性能。受国家自然科学基金青年项目( No. 51205373)支持在前期探测器研究过程中，提出图8-6所示的双敏感元件，其中一个元件是用作补偿的，其具体工艺流程如图8_7所示。它主要是利用SOI材料作基底，采用溶胶一凝胶技术制备多层组合结构的纳米薄膜( PT/PZT/PT~ PT/PZT/PT)怍敏感元件，采取金属键合技术，将敏感元件翻转与另一高热阻抗基底对接键合，然后腐蚀SOI上的底层硅和氧化硅，最终将SOI材料上层硅制备具有锥状森林结构的黑硅作为吸收层，从而得到一种新颖的敏感元件。制备出多层纳米薄膜结构的微传感器，研究合理的算法，实现气体浓度的传感检测技术，期望实现如图8-8所示的一种带扩散泵吸收的有毒有害气体检测。