近些年，CNA13030R2AU许多研究集中在热释电薄膜上，尤其是利用PZT薄膜开发研究在微电子技术方面的应用上。热释电薄膜型探测器是一个很好的例子，它具有宽的红外吸收波谱区域、低的加工成本以及在室温下工作的优点。与其他陶瓷片式探测器相比较，薄膜型探测器在理论上有更多的优点，一方面是因为热探测器的灵 敏度可以通过减小薄膜器件检测元件的热容来提高；另一方面，能集成薄膜型探测器制备与硅工艺一起，有利于加工。

   更多的研究集中在薄膜器件的制备以及薄膜的生长工艺上，以开发铁电薄膜在压电器件、热电红外检测器及存储器中的应用‘91-933。PbTi0，(Pr)薄膜是～种铁电钙钛矿型化合物，它具有较大的热释电系数和极化性能，被广泛用在热探测器的敏感元件上。然而，更多的研究关注在PT的改良上，通过一些掺杂方式来提高其机械与电性能。

   比如一些共价离子：La3+，S ffl3+．Nd3+．Gd3+，Ca2+，Ba2+，Sr2+等，被掺入到PT化合物中，用来改善其介电、压电、铁电和热释电性能[94]。通过用这些离子调节PT化学物，其栅格蛤异性减小，这将导致样品具有高的机械性能‘95-971。在本次设计中，通过用2r2+离子替代Pb2+离子的置，实现PZT薄膜的研究。锆钛酸铅（Pb（Zr．一，Ti；）03，(PzT’))薄膜具有典型的钙钛矿结构，有较好的铁电与压电性能，以及较大的热释电系数和较高的居里温度。因为Ti4离子半径(0. 061nm)与2r4+ (0.072nm)离子半径非常接近，而且它们的化学性质也非常类似，PbTi0，和Pb2r03能以任何比例形成固溶胶。因此，PZT薄膜

的介电、压电、热电性可以通过调节Zr/Ti的比率和沉积方法来改变，具有更好的机电耦合系数，将具有广泛的应用前景，是一种被广泛研究的铁电材料。