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- 6m新器件RDS(on)值不到最接近SiC MOSFET竞争产品一半2021/9/29 17:40:13 2021/9/29 17:40:13
- 750V、6mΩ器件,从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiCFET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiCMOSFET竞争产品的一半,...[全文]
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- IPMG装置可将安全性提升到新的水平一种通用的解决方案2021/9/29 7:49:16 2021/9/29 7:49:16
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- 固态电池低温充电技术用于图腾柱的快速支路时具有优势2021/9/28 8:40:45 2021/9/28 8:40:45
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