- 尽可能靠近整流二极管放置调压元器件和滤波电容器2019/2/3 16:28:10 2019/2/3 16:28:10
- 尽可能靠近整流二极管放置调压元器件和滤波电容器。印制板按频率和电流开关特性分区,易发射骚扰的元器件与其他元器件要距离远一些。对骚扰敏感的布线不要与大电流和高速开关线平行。...[全文]
- 电源电路的元器件布局和布线特点各不相同2019/2/3 16:19:36 2019/2/3 16:19:36
- 电子电器设各中数字电路、模拟电路、高频电路、低频电路及电源电路的元器件布局和布线特点各不相同,它们产生骚扰的机理及抑制骚扰的方法也各不相同。MAX1232CWE+所以在元器件布局时,应该将数字电...[全文]
- 对于大功率低速电路、模拟电路和数字电路应分开布局2019/2/3 16:17:11 2019/2/3 16:17:11
- 对于大功率低速电路、模拟电路和数字电路应分开布局,条件允许的话,分开为不同的PCB。MAX1008CAP在各分板内,以该分板核J心元器件为中心进行布局,尽量缩短各高频元器件间的连接引线。...[全文]
- 微控制器(MCU)是逻辑电路重要的组成部分2019/2/3 16:00:42 2019/2/3 16:00:42
- 微控制器(MCU)是逻辑电路重要的组成部分,是逻辑电路的核心,也是逻辑电路中产生电磁兼容问题的核心和关键。这里对其设计做单独介绍。M65824FP时下许多IC制造者不断地缩小微控制器的内部构件尺...[全文]
- 应优先选用引线电感小的穿心电容或支座电容来滤波2019/2/3 15:44:37 2019/2/3 15:44:37
- 在高频时,若用引线型电容器,应优先M30624MGA-112FP选用引线电感小的穿心电容或支座电容来滤波。在必须使用引线式电容时,应考虑引线电感对滤波效率的影响。...[全文]
- 用同样耐压和电流容量的不同品牌的开关管进行辐射骚扰测试2019/2/3 15:39:58 2019/2/3 15:39:58
- 在开关回路中,开关管是核心。在实际设计和测试中发现,对同一开关电源,M25P05VMN6T其他部分保持不变,用同样耐压和电流容量的不同品牌的开关管进行辐射骚扰测试,整体骚扰最大的与最小的可能相差...[全文]
- 穿心电容之所以能有效地滤除高频骚扰2019/2/3 15:24:21 2019/2/3 15:24:21
- 穿心电容之所以能有效地滤除高频骚扰,是因为穿心电容不仅没有接地引线电感造成电容谐振频率过低的问题,而且穿心电容可以直接安装在金属面板上,HD74HC245P利用金属面板起到高频隔离的作用。各种形...[全文]
- 逻辑器件的敏感特性取决于本身的直流噪声容限和噪声抗扰度2019/2/2 22:51:09 2019/2/2 22:51:09
- 逻辑器件的敏感特性取决于本身的直流噪声容限和噪声抗扰度。逻辑器OXFW911-TQ-A件高低电平转换时的翻转时间越短,所占频谱越宽,为此,应当在保证实现器件功能的前提下,尽可能增加信号跳变的上升...[全文]
- 电场(E场)产生于两个具有不同电位的导体之间2019/2/2 21:53:24 2019/2/2 21:53:24
- 电场(E场)产生于两个具有不同电位的导体之间。电场的单位为Ⅴ/m,电场强度正比于导体之间的电压,反比于两导体间的距离。磁场(fr场)产生于载流导体的周围,磁场的OX16PCI952...[全文]
- 人工电源网络应通过低射频阻抗连接到参考地2019/2/1 20:20:09 2019/2/1 20:20:09
- 尽管人工电源网络对电源输人有滤波隔离作用,但其隔离度有限。为了确GFB70N03保在所有测试频率上存在于供电电源上的无用信号不影响测量,需要在人工电源网络和供电电源之间插人一附加的射频低通滤波器...[全文]
- 贴片工艺后需要用高温将银胶烤干同化2019/2/1 11:02:08 2019/2/1 11:02:08
- 贴片工艺后需要用高温将银胶烤干同化,温度为175℃,时间为l小时。烘焙的同KA358ADTF时,需要在烤箱中通氮气,防止芯片及支架表面氧化,造成后序I艺无法完成打线键合。银胶烘焙固化后,需要测量...[全文]
- 透过触发器构成的电路来控制和观测电路内部状态2019/2/1 10:54:16 2019/2/1 10:54:16
- 测性没计(designfortestability△)FT)是在微电子芯片产品设计屮加入F先进的测试设计,KA339DTF使得所涉及芯片的制造测试、开发和应用变得更为容易和便宜。扫...[全文]
- 扫描电子显微镜由电子光学系统2019/2/1 10:19:39 2019/2/1 10:19:39
- 电子枪发射电子,经过聚焦后轰击在样品表面,激发出二次电子。二次电子的信号强度随样品表面特征而变,扫描系统在控制电子束扫描样品表面的同时,控制显示器的阴极射线管电子束在荧光屏上作同步扫描。KA27...[全文]
- CMOS和存储器制造流程的知识不仅对加工工程师和器件工程师十分必要2019/1/28 22:21:18 2019/1/28 22:21:18
- MB逻辑电路的制造技术是超大规模集成电路(VIsI)半导体工业的基础。节将会描述现代CMOS逻辑制造流程,用以制造NMOS和PM(E晶体管。现今,典型的CMOS制造I艺会添加一些额外的流程模块来...[全文]
- 随着集成电路技术节点的不断减小以及互连布线密度的急剧增加2019/1/28 22:12:50 2019/1/28 22:12:50
- AID相比传统的M()CVD和PVD等沉积△艺具有先天的优势。它充分利用表面饱和反应天生具各厚度控制能力及高度的稳定性,对温度和反应物通量的变化不太敏感。M24C08-WMN6P这样得到的薄膜既...[全文]
- 场效应晶体管垂直沟道方向2019/1/28 21:58:01 2019/1/28 21:58:01
- 为进一步提高器件性能,降低漏电流,⒛12年,IBM的研究人员提出并实验了一种Ⅸ)I平面结构无结场效应晶体管,其沟道掺杂浓度采用梯度分布,由表及里浓度逐渐降低,M24C04-WMN6TP件的性能进...[全文]
- 理论上MOsFET的栅极应该尽可能选择导电性良好的导体2019/1/28 21:34:34 2019/1/28 21:34:34
- 一对N沟道和P沟道MOS管以推挽形式△作,构成互补的金属氧化物半导体器件(ComplemexltaryMetalC)xideSemi∞nductor,CMOS)。其组成的反相器基本...[全文]
- 若MOS晶体管在强反型下主要的载流子是电子2019/1/28 21:30:08 2019/1/28 21:30:08
- 这种类型的MC)SFET通常制作于P型半导体衬底上,由两个高传导率的N型半导体源极和漏极,M1MA151WAT1G通过反向偏置的PN结二极管将其与P型半导体衬底隔离,栅极氧化物将栅极与半导体衬底...[全文]
- 达林顿三极管2019/1/25 19:13:29 2019/1/25 19:13:29
- 达林顿三极管1.外形与符号达林顿三极管又称复合三极管,它是由两只或两只以上三极管组成并封装为一体的三极管。达林顿三极管外形如图⒎21(a)所示,图⒎21(b)是两种常...[全文]
- 三种状态下PN结的特点和各极电压关系2019/1/25 18:46:30 2019/1/25 18:46:30
- 三种状态下PN结的特点和各极电压关系三极管内部有集电结和发射结,在不同状态下这两个∷的结构与二极管相同,在分析时为了方便,可将三极管的两个PN结画成二极管的符号。MAX1036ME...[全文]
公网安备44030402000607
