- 两步扩散工艺2017/5/13 18:37:28 2017/5/13 18:37:28
- 实际生产中,扩散温度一般为900~1200℃,在这样的温度范围内,常用杂质如硼、磷、砷和锑MAX5417LETA+T等在硅中的固溶度随温度变化不大。例如,硼的固溶度总是保持在5×10Ⅱcm3左右...[全文]
- 固相外延2017/5/10 22:28:58 2017/5/10 22:28:58
- 固相外延(SohdPha⒃Epitav,SPE)是将晶体衬底上的非晶(或多晶)薄膜(或区域)在高温下退火,MAX1811ESA使其转化为单晶。例如,单晶硅片采用离子注入工艺掺杂①,当掺杂剂量大或...[全文]
- 喷射炉2017/5/10 22:20:32 2017/5/10 22:20:32
- 喷射炉通常叉被称为努森(Knu摁en)池或K池。在生长室内有多个喷射炉,各喷射炉前都有快门。喷MAX1714AEEP射炉是为外延物质加热的源炉,加热器通常采用电子束加热。喷射炉能精确地保持特定温...[全文]
- 氮气预冲洗的目的是清除反应器中原有气体2017/5/9 21:33:34 2017/5/9 21:33:34
- 氮气预冲洗的目的是清除反应器中原有气体,净化反应器内气氛;再用氢气预冲洗,进一步LD1117AS50TR净化反应器内气氛;加热器上电,逐步升温,使基座和反应器壁上吸附的气体解吸;通氯化氢气体排空...[全文]
- 晶体掺杂2017/5/8 20:16:39 2017/5/8 20:16:39
- 微电子丁艺使用的衬底硅片既有本征型的,又有掺杂型的,根据不同微电子产品r艺特点,选用K4S561632J-UC75特定导电类型和电阻率的硅片作为衬底材料。因此,在单晶生长时,需要在硅锭中掺人一定...[全文]
- 单晶生长原理2017/5/8 20:15:24 2017/5/8 20:15:24
- 币晶生长过程即相变过程。以直拉K4S281632F-UC60法⒋长单晶硅为例。将坩埚内的熔体和拉出的晶体看做一个热力学系统,单晶隹长过程就是熔体/晶体界面向熔体方向的推移过程。从结...[全文]
- 硅 衬 底 2017/5/6 18:05:15 2017/5/6 18:05:15
- 锗、硅、砷化镓是微电子产品中使用最多的半导体衬底材料。锗使用得最早,在微电NCP1406SNT1G子产品刚刚出现时就用其作为半导体器件及最初的小规模集成电路的衬底材料,目前除少量分立器件采用锗外...[全文]
- 物质还有其他两种形式2017/4/30 19:23:24 2017/4/30 19:23:24
- 每次我们想指定一个分子时就画一个图2.15是不方便的，更常用的方式是写出分子式：G15N60RUFD如水就是熟悉的H207这个分子式确切地告诉我们在材料中的元素和其数目。化学家用更确切的术语化合...[全文]
- 滤波技术2017/4/27 21:06:26 2017/4/27 21:06:26
- 在红外光电系统中,针对背景的不同特性采用了相应的背景抑制技术。利用目EZAEG2A50AX标和背景信号在空间分布特性上的不同,采用空间滤波技术抑制背景;利用目标和背景信号在光谱分布特性上的不同,...[全文]
- 杂散光对系统的危害很大2017/4/26 23:06:43 2017/4/26 23:06:43
- 杂散光对系统的危害很大,包括:S29AL016D70TFI02(1)降低像面的对比度和调制传递函数;(2)使整个画面的层次减少,清晰度变坏,像面上能量分布混乱;...[全文]
- 相机整体扫描2017/4/25 21:48:20 2017/4/25 21:48:20
- 一些舰载、车载的光电搜索跟踪一体化的设备(IRST)采用了传感头整体扫描搜索的工作模式,传感头内通常装载了多种不同工作波段的传感器组件,M24128-BWMN6P由于各个传感器光学系统相对独立,...[全文]
- 迈克尔逊干涉仪2017/4/23 19:52:33 2017/4/23 19:52:33
- 干涉分光主要利用迈克尔逊干涉原理,迈克尔逊干涉仪的光路示意图如图3-49所示,FAN7388MX它由相互垂直的两个平面反射镜M1、M2以及与反射镜成笱°的分束片G1组成。动镜M2可沿镜轴方向前后...[全文]
- 传统的波动光学理论不能很好地解释光电效应2017/4/22 22:32:10 2017/4/22 22:32:10
- 传统的波动光学理论不能很好地解释光电效应，1905年，爱因斯坦对光电效应提出了一个理论，解决了之前光的波动理论所无法解释的现象，M4A2010S121FBP他引入了光子——一个携带光能的量子概念...[全文]
- 天线端口的浪涌抑制2017/3/28 22:26:18 2017/3/28 22:26:18
- 天线端口是一类非常容易遭受浪涌损坏的接口。无线通信设备的外接天线端口一般需要与室外高处的天线连接以实现无线信号的收/发,AⅤ产品的天线端口也会与室外天线或CATⅤ系统连接,这些接口都与室外引线连...[全文]
- 低音扬声器的磁头并非越大越好2017/2/15 21:08:10 2017/2/15 21:08:10
- 低音扬声器的磁头并非越大越好,因为磁头产生的磁感应强度是由磁头的磁能级大小来决定的、并非由它的体积大小来决定;只有磁体磁能级越高时,AD8400ARZ10-REEL扬声器的灵敏度才能越高。通常,...[全文]
- 变容二极管的调谐电路2017/2/8 21:20:06 2017/2/8 21:20:06
- 变容二极管仅由一个PN结构成,但它在ADP7182ACPZ-R7反向电压的作用下,其结电容的变化范围很大(可由几皮法变为300pF)。特点与图形符号正常的变容二极管被...[全文]
- MM4变频器有3个用户访问级2017/1/31 21:05:11 2017/1/31 21:05:11
- AOP是可选件，它具有以下特点：1)清晰的多种语言文本显示；A40MX04-FPL842)多组参数组的上传和下载功能；3)可以通过PC编程；...[全文]
- 气体放电光源具有如下共同的特点2017/1/22 17:38:22 2017/1/22 17:38:22
- 气体放电光源具有如下共同的特点：(1)发光效率高。AD9650BCPZ-25比同瓦数的白炽灯发光效率高2～10倍，因此具有节能的特点。(2)结构紧凑。由于不靠灯丝本身...[全文]
- 光刻胶的选择是一个复杂的过程2017/1/21 22:56:35 2017/1/21 22:56:35
- 光刻胶的选择是一个复杂的过程。主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG胶首先必须具有产生那些所要求尺寸的能力。除了这些，还必须有在刻蚀过程中阻挡刻蚀的功能。在阻挡刻...[全文]
- 可在标称值为原有电容器的±10%范围内2017/1/20 20:18:49 2017/1/20 20:18:49
- 可在标称值为原有电容器的±10%范围内,选用代换电容器。对于电源滤波电容、V30120S-E3/4W旁路电容等选择范围还可以更大一些;但是有些特殊电路中的电容器在代换时只能选择与原...[全文]
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