- Vcc过电压保护后PFC控制级的软恢复2013/6/5 21:15:48 2013/6/5 21:15:48
- FAN4803在应用电路中，电源电压Vcc由一G5LA-1A-DC12V(RO)个辅助电源供给，该电源电压与PFC控制级的输出电压成正比。在软启动过程中，一旦偏置电压升至16.2V，与UEAO引脚...[全文]
- MC33262的额定参数2013/6/4 21:15:06 2013/6/4 21:15:06
- 主要性能参数1．额定参数MC33262的额定G4F-11123T-12V参数见表12-5。表12-5MC33262的额定参数2．主要电气参数MC33262的主要电气参数见表12-6...[全文]
- 电压误差放大器2013/6/4 21:05:18 2013/6/4 21:05:18
- 在该电路中，对谐振电容中电G4A-1A-PE-12V流的检测是在辅助开关管导通过程中实现的。由于这一工作过程发生在开关周期刚刚开始的时候，因此电流互感器的复位时间不会有任何损失。将谐振电容接在电流互...[全文]
- ZVT控制波形2013/6/4 20:56:36 2013/6/4 20:56:36
- t2～t3时刻：该阶段刚开始时，主开关G4A-1A-E-24V管的漏极电压降至零，其体二极管开通。流过体二极管的电流由ZVT电感提供。由于电感两端的电压为零，因此二极管处于续流状态。而与此同时，主开关...[全文]
- ZVT控制技术2013/6/4 20:54:13 2013/6/4 20:54:13
- 随着变换器工作频率的不断提高，变换器G4A-1A-E-12V的开关损耗显著增加。为了降低开关损耗，进一步提高变换效率，软开关技术应运而生。零电压转换技术(ZVT)是一种先进的谐振软开关技术，工作频率...[全文]
- 由UC3854组成的250W功率因数校正电路2013/6/4 20:19:10 2013/6/4 20:19:10
- 由UC3854组成的250W功G3MB-202P-LG-12V率因数校正电路如图12-3所示。该电路输入电压范围为85～265V，功率因数可达0.99以上。图12-3由UC3854组成的250W...[全文]
- 可调脉冲发生器2013/5/31 22:47:50 2013/5/31 22:47:50
- 电路中的非门1、2组成多谐AD8027ARTZ振荡器，其振荡频率为70kHz，非门3～6并联使用以增大驱动能力。VT1为小功率场效应管，作为开关管作用。电感Li作为其漏极负载。当VT1导通时，Li上...[全文]
- LM399型精密基准电压源2013/5/30 1:14:30 2013/5/30 1:14:30
- 在目前生产的基G2R-1DC12准电压源中，以LM199、LM299和LM399的电压温度系数为最低，性能也最佳。它们均属于四端器件，可等效于带恒温槽的稳压二极管。作为高稳定性的精密基准电压源，用...[全文]
- 典型应用电路2013/5/30 0:52:23 2013/5/30 0:52:23
- 在标准应用状态下，LM317/LM337的输出直流FPG-C32TTM电压可以实现从1.25V到37V的连续调压。若稍稍改变外围电路，还可实现从零开始调压。其最大输出电流通常也为3A，内部均设有相应...[全文]
- 典型应用电路2013/5/29 21:09:53 2013/5/29 21:09:53
- 78××系列稳压集成器的基本FP0-16RS应用电路如图10-9所示。图中Cl是滤波电容。由于C1是大容量电解电容，其分布电感比较大，对高频交流成分的滤渡效果较差。为了改善滤波电路的高频抑制特性，一...[全文]
- 单端正激变换器电路2013/5/28 20:24:13 2013/5/28 20:24:13
- 采用单个晶体管的单端正激EA2-4.5V变换器电路如图8-37所示。图中ⅣF是变压器中的去磁绕组，通常这个绕组和一次绕组的匝数相等，即ⅣF=Np，并且保持紧耦合，它和储能反馈二极管VD3用以实现磁...[全文]
- 单端正激式直流变换器2013/5/28 20:19:17 2013/5/28 20:19:17
- 单端正激(Forward)式直流变换器，简称单EA2-4.5NU端正激变换器。它既可采用单个功率晶体管电路，也可采用双功率晶体管电路。图8-35所示为双晶体管单端正激式直流变换器，功率开关管VT1...[全文]
- 隔离型直流变换器2013/5/28 20:12:56 2013/5/28 20:12:56
- (1)反相变换器的优点：①当功率开关管EA2-4.5NJ（9950）被击穿短路时，不会出现输出电压过高而损坏负载的现象；②既可以降压，也可以升压。(2)反相变换器的缺点：①在续流二极管截止期间，负...[全文]
- 功率场效应晶体管2013/5/27 20:44:27 2013/5/27 20:44:27
- 功率场效应晶E6C2-CWZ3E体管(简称PowerMOSFET--PowerMentalOxideSemiconductorEffectTransistor)是一种多子导电的单极型电压控...[全文]
- 电力晶体管2013/5/27 9:24:01 2013/5/27 9:24:01
- 电力晶体管(GTR，GiantTransistor)按英E6B2-CWZ6C2000P/R文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BJT，BipolarJunction...[全文]
- 逆导晶闸管器件特征2013/5/27 9:26:55 2013/5/27 9:26:55
- 由于反向不承受电压，逆导晶闸E6B2-CWZ6C1000P/R管的阴极、阳极都采用发射极短路结构。这一结构特点给它带来了如下显著特征。(1)提高了器件抗漏电流的能力，高温特性比普通晶闸管好。理论...[全文]
- 可关断晶闸管2013/5/27 9:31:18 2013/5/27 9:31:18
- 可关断晶闸管(GTO，GateTurn-OffThyristor)又称门E6B2-CWZ5B200P/R控晶闸管，简称VS管。可关断晶闸管的主要特点是，当门极加负向触发信号时能自行关断。众所周...[全文]
- 锯齿波同步触发电路2013/5/25 15:12:29 2013/5/25 15:12:29
- 图6-59所示为锯齿波同E2E-X5ME2-Z步触发电路，该触发电路分为三个基本环节：脉冲形成与放大、锯齿波形成与脉冲穆相以及同步电压环节。此外，形成环节，下面分别进行分析。脉冲形成与放大环节同...[全文]
- 可控整流电路分析过程中要经常用到的名词术话与概念2013/5/24 20:49:02 2013/5/24 20:49:02
- 下面介绍几个在可控整流E2E-X20MD1-Z电路分析过程中要经常用到的名词术话与概念。1)控制角阮从晶闸管开始承受正向电压到被触发导通为止所对应的电角度。常用电源元器件及其应用2)导通角臼：晶...[全文]
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