- 电池模型和2281S电池模拟器节省编写SMU自定义脚本的时间精力和成本2024/3/18 20:38:03 2024/3/18 20:38:03
- 新一代电路仿真软件QSPICETM，通过提升仿真速度、功能和可靠性，为电源和模拟设计人员带来更高水平的设计生产力。QSPICE实现了全新一代混合模式电路仿真，过去，电...[全文]
- 准确控制电机速度或旋转简化功能安全认证并运行安全关键型功能2024/3/18 13:10:51 2024/3/18 13:10:51
- PIC18-Q71器件系列上的新增的模拟外设管理器，以了解如何使用它来降低嵌入式设计中的总体功耗。用于检查RAM运行情况和功能性的RAM内建自测试(BIST)、通过在指定时...[全文]
- 在提高功率密度和能效同时增强热性能减少元器件数量简化设计2024/3/18 12:55:17 2024/3/18 12:55:17
- 新型80V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET®GenIVMOSFET组合在3.3mmx3.3mmPowerPAIR&#...[全文]
- 在板上插入一个单独的双列直插模块为特定dsPIC DSC或MCU进行配置 2024/3/17 22:01:06 2024/3/17 22:01:06
- MCLV-48V-300W是两款基于dsPIC33的新型集成电机驱动器开发板，可提供具有灵活控制选项的快速原型开发解决方案。MCSK包括一个dsPIC33CK低电压电机控制开发板、一个24V三相...[全文]
- 过流过压短路等保护技术有效避免设备因电力问题而损坏风险2024/3/17 21:35:32 2024/3/17 21:35:32
- 这种DC直流电源在安全性能方面也表现突出。采用了先进的过流、过压、短路等保护技术，有效避免了设备因电力问题而损坏的风险，保障了用户和设备的安全。不论是个人用户还是企业单位，都可以放心使用...[全文]
- 像素内双转换增益设计获得动态范围暗场噪声性能的显著提升2024/3/17 19:45:46 2024/3/17 19:45:46
- 5GORAN中关于授时的另一个关键考虑因素是对温度的稳定性。温度补偿型振荡器、PLL和芯片级原子钟（CSAC）已在军事和工业应用等恶劣环境中完成部署并得到验证，适用于RU、CU和DU硬件...[全文]
- 控件与数据分析功能完全集成到一个软件平台中操作简单使用方便2024/3/17 19:02:08 2024/3/17 19:02:08
- 全新的流变-阻抗谱（Rheo-IS）附件可帮助电池研究人员在实际和工艺相关条件下更好地评估电极浆料成分的质量。这款适用于TA仪器的Discovery™混合...[全文]
- 在测试对功率变化敏感设备时在仪器上设置变化率将其应用于衰减模式2024/3/16 19:23:53 2024/3/16 19:23:53
- 电路板可容纳多种运算放大器类型，并可通过在电路板上安装插座来更换单个器件。单运放和双运放均具有标准的8引脚布局。在输入所有元件值后，我们将提供LTspi...[全文]
- 基准电压源具备高准确性稳定性好噪声低和响应时间快等特点2024/3/16 18:47:41 2024/3/16 18:47:41
- HDD之能迅速被取代，除了自然灾害的打击，其无法突破性能瓶颈才是最主要原因。传统的HDD机械硬盘，主要靠机械部件驱动，读写数据时需要靠物理旋转的磁盘，...[全文]
- 70A的输出电流在业界标准的12V或5V输入电源下运行2024/3/16 16:30:34 2024/3/16 16:30:34
- VeloceRF、RaptorX、Exalto和Pharos工具,客户可以使用这些工具来开发5G、物联网、自动驾驶,无线以及其他射频芯片和系统,实现更出色的性能,更高的质量和更小的尺寸。...[全文]
- 低阻抗同步整流器和低压差线性稳压器使整体系统效率达80%2024/3/16 10:10:57 2024/3/16 10:10:57
- ArmCortex-M85处理器的RA8T1微控制器（MCU）产品群，可满足工业、楼宇自动化，以及智能家居等应用中常见的电机、电源和其它产品的实时控制要求。...[全文]
- 电流模PWM控制环路误差放大器比较器和功率开关等模块组成2024/3/16 9:52:32 2024/3/16 9:52:32
- 超微小型,超低功耗,高效率,升降压一体DC-DC调整器。适用于双节,三节干电池或者单节锂电池的应用场景。可以有效的延长电池的使用时间。IU5528D由电流模PWM控制环路，误差放大...[全文]
- 设计MOS管驱动时第一要注意可提供瞬间短路电流的大小2024/3/15 13:33:22 2024/3/15 13:33:22
- 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be只有0.7V左右的压降，导致实际最终加载gate上的电压只有4.3V，这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定...[全文]
- 现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫伏左右几豪欧的也有2024/3/15 13:30:16 2024/3/15 13:30:16
- MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失时电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比...[全文]
- fIN的增大整体噪声将会增大因而降低了ENOB和SINAD性能2024/3/15 9:01:31 2024/3/15 9:01:31
- 按照对数定义的一个幅度单位。对于电压值，dB以20log(VA/VB)给出；对于功率值，以10log(PA/PB)给出。dBc是相对于一个载波信号的dB值；dBm是相对于1mW的dB值。...[全文]
- 引脚对地电阻阻值小于1kΩ或大于12kΩ则该集成电路已经损坏2024/3/14 22:27:15 2024/3/14 22:27:15
- 将万用表的选择开关拨至R×1K档，黑表笔接待测集成电路的接地端，红表笔依次测试各输入端和输出端对地的直流电阻值。正常情况下，集成电路各引脚对地电阻值应为3~10kΩ。若某一引脚对地电阻阻...[全文]
- 131mW*nC导通电阻与栅极电荷乘积提高高频开关应用的效率2024/3/14 18:32:09 2024/3/14 18:32:09
- SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。器...[全文]
- 并联多个低电流保险丝或采用更大的超容量工业设备2024/3/14 12:52:53 2024/3/14 12:52:53
- 刀片式服务器、背板和大功率电源等具有高电流需求的电路板为采用电路保护保险丝的开发人员带来了挑战。要使用紧凑型表面安装式装置，就必须并联多个低电流保险丝...[全文]
- 高功率密度需求面对高电压和开关频率不会降低系统可靠性2024/3/14 8:34:16 2024/3/14 8:34:16
- 新一代的STM32MP2系列工业级微处理器(MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。目前的趋势是把更多工作任务下沉到通常部署在物联网边缘的智能...[全文]
- 提高放大系数α2产生足够大集电极电流IC2流过PNP管发射结2024/3/13 22:49:25 2024/3/13 22:49:25
- 晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。与电脑和家电等消费电子不同,汽...[全文]
公网安备44030402000607
