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- 六个不同部位提供了PTFE垫片以避免刮擦导致油漆的损伤2023/5/24 21:11:50 2023/5/24 21:11:50
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- 64兆位的M58WR064ET和M58WR064EB是首次将多片体系结构、1.8V电源电压和同步突发读模式集于一身的器件，这些器件有助于提高技术更为复杂的第三代移动电话的性能。这两款产品的开发成...[全文]
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- DRAM的快速存取和可编程DSP低功耗的特点2020/12/31 23:19:01 2020/12/31 23:19:01
- 标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片，能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存储器和处理器，外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性，增加系统...[全文]
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