场效应晶体管特性曲线
发布时间:2014/12/27 19:47:37 访问次数:1862
同晶体管一样,场效应P4KE16管也可用特性曲线来描述性能和工作状态,最常用的是漏极特性曲线和转移特性曲线。
漏极特性曲线。场效应管的漏极特性曲线如图3- 36 (a)所示,它表示在一定的栅偏压U(焉时,I和UrB的关系。同晶体管输出特性曲线一样,也可将漏极特性曲线分成三个工作区:I区为可变电阻区,或叫沟道欧姆区,在这个区中,沟道特性与电阻类似。因为rDS -AUDS/AID,当Ucs =OV时,b随Urs增长较陕,而当外加栅偏压增加时,ID随UL6增长就较慢,所以它的阻值受栅偏压所控制;Ⅱ区为饱和区,在这个区中,UL6增大时,b几乎不再增大,维持某—饱和值,ID随栅压Us或线性变化。这是场效应管的工作区,与晶体管的放大区相似,可以获得较高的增益和良好的恒流特陛;Ⅲ区为击穿区,这时ID急剧增大,以致管子损坏。
同晶体管一样,场效应P4KE16管也可用特性曲线来描述性能和工作状态,最常用的是漏极特性曲线和转移特性曲线。
漏极特性曲线。场效应管的漏极特性曲线如图3- 36 (a)所示,它表示在一定的栅偏压U(焉时,I和UrB的关系。同晶体管输出特性曲线一样,也可将漏极特性曲线分成三个工作区:I区为可变电阻区,或叫沟道欧姆区,在这个区中,沟道特性与电阻类似。因为rDS -AUDS/AID,当Ucs =OV时,b随Urs增长较陕,而当外加栅偏压增加时,ID随UL6增长就较慢,所以它的阻值受栅偏压所控制;Ⅱ区为饱和区,在这个区中,UL6增大时,b几乎不再增大,维持某—饱和值,ID随栅压Us或线性变化。这是场效应管的工作区,与晶体管的放大区相似,可以获得较高的增益和良好的恒流特陛;Ⅲ区为击穿区,这时ID急剧增大,以致管子损坏。
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