国产晶振元件的型号由三部分组成， ADG417BRZ其中第1部分表示外壳形状和材料，如B表示玻璃壳，J表示金属壳，S表示塑封型；第2部分表示晶片切型，常与切型符号的第1个字母相同，如A表示AT切型，B表示BT切型等；第3部分表示主要性能及外形尺寸等，一般用数字表示，也有最后再加英文字母的，如JA5为金属壳AT切型晶振元件，BA3为玻璃壳AT切型晶振元件。从型号上是无法知道晶振元件的主要电特性，需查产品手册或相关资料。石英晶体的外形、代号及性能如表2-5所示。晶振元件的主要电参数是标称频率／j、负载电容CL、激励电平（功率）、工作温度范围和温度频差。

   晶振元件相当于电感，组成振荡电路时需配接外部电容，此电容即负载电容CL。在规定的CL下晶振元件的振荡频率即为标称频率fo。

   负载电容CL是参与决定振荡频率的，所以设计电路时必须按产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的fo。

   激励电平（功率）是指晶振元件工作时会消耗的有效功率。激励电平应大小适中，过大则会使电路频率稳定度变差，甚至“振裂”晶片；过小则会使振荡幅度减小和不稳定，甚至不能起振。

   一般激励电平不应大于额定值，但也不要小于额定值的50%。温度频差是指在工作温度范围内的工作频率相对于基准温度下工作频率的最大偏离值，该参数实际代表了晶振的频率温度特性。

   晶振元件除体积特小的之外，其标称频率都栎注在外壳上，故识别及使用都十分方便。