在检测系统中， MBR2560PT一般采用模拟集成电路（或称线性集成电路）来放大微弱信号或产生某种波形信号，或者向负载提供一定的功率等。模拟器件易受干扰的影响，也会产生干扰而影响其他元器件。

   晶体管放大器的抗干扰措施

   双极型晶体管放大器或场效应管放大器在低频放大或高频放大电路中经常被使用。它们的优点是寿命长，工作频率高等；其缺点是即使输入为零，仍有一定输出电压，这种电压也是一种噪声。它主要由下列噪声因素所构成：外界电磁场的噪声；晶体管开关元件本身的噪声；开关元件因不是理想开关而造成的输出端残余电压；由于晶体管极间电容造成的尖峰电压等。其中，主要的因素是晶体管的残余电压。

   1)抑制晶体管残余电压的措施首先，选择适当的晶体管类型。晶体管的厦向电流及饱和压降越小，它的残余电压也越小，锗管的饱和压降比硅管的小，但它的反向电流较大且随温度而变化，所以它将引起残余电压的漂移。硅管的反向电流较小，饱和压降大。当工作温度高、负载电阻值及信号源内阻值较大时，还是用硅管较为有利。

   2)抑制场效应管的尖峰电压尖峰电压主要是由极间电容引起的，所以要抑制尖峰电压，应减小极间分布电容。可以选用极间电容小的器件，还应该注意各极的引线分布电容。

   抑制尖峰电压还可以采用补偿的方法，在尖峰电压上叠加一个极性相反的尖峰电压，使二者相互抵消。但是这种方法因种种原因不能完全抵消尖峰电压，而只能在一定程度上闭合，将放大器输入端钳制在一定的电位上，如钳制在零电位。这就限制了尖峰电压通过放大器，抑制了尖峰电压对放大器的影响。