霍尔效应置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载ADM232AARW流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势，半导体薄片称为霍尔元件。

   如图6-5所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一个导电板，导电板通以电流，，方向如图6-5所示。导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时，每个电子受洛仑兹力F。的作用.

   F。的方向在图6-5中是向上的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在F。的作用下向上漂移，结果使金属导电板上底面积累电子，而下底面积累正电荷，从而形成了附加y

内电场E。，称为霍尔电场，UH为电位差。霍尔电场的出现，使定运动的电子除了受洛仑兹力作用外，还受到霍尔电场的作用力F。，其大小为- eEH，此力阻止电荷继续积累。随着上、下底面积累电荷的增加，霍尔电场增加，电子受到的电场力也增加，当电子所受洛仑兹力与霍尔电场作用力大小相等、