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静电释放(ESD)/电气过载(EOS)在电子工业中的危害

发布时间:2014/8/8 17:42:04 访问次数:1359

   静电释放(ESD)/电气过载(EOS)在电子工业中的危害

   在电子工业中, VN750-B5TR-E随着集成度越来越高,集成电路的内绝缘层越来越薄,互连导线宽度与间距越来越小。例如,CMOS器件绝缘层的典型厚度约为O.lUm,其相应耐击穿电压在80~100V; VMOS器件的绝缘层更薄,击穿电压为30V。而在电子产品制造及运输、存储等过程中所产生的静电电压远远超过CMOS器件的击穿电压,往往会使器件产生硬击穿或软击穿(器件局部损伤)现象,使其失效或严重影响产品的可靠性。

   电子产品制造中的静电源

   (1)人体静电

   人体的活动,人与衣服、鞋、袜等物体之间的摩擦、接触和分离等产生的静电是电子产品制造中主要的静电源之一。人体静电是导致器件产生硬(软)击穿的主要原因。人体活动产生的静电电压约为0.5~2kV。另外,空气湿度对静电电压的影响很大,因此在干燥环境中还要上升1个数量级。典型的相对湿度与人体活动带静电的关系。

   人体带电后触摸到地线,会产生放电现象,人体就会产生不同程度的电击感反应,反应的程度称为电击感度。不同静电压放电过程中人体的电击感度。

   (2)工作服

   化纤或棉制工作服与工作台面、坐椅摩擦时,可在服装表面产生6 000V以上的静电电压,并使人体带电。此时与器件接触时,会导致放电,容易损坏器件。

   (3)工作鞋

   橡胶或塑料鞋底的绝缘电阻高达l013Q,当与地面摩擦产生静电使人体带电。


   静电释放(ESD)/电气过载(EOS)在电子工业中的危害

   在电子工业中, VN750-B5TR-E随着集成度越来越高,集成电路的内绝缘层越来越薄,互连导线宽度与间距越来越小。例如,CMOS器件绝缘层的典型厚度约为O.lUm,其相应耐击穿电压在80~100V; VMOS器件的绝缘层更薄,击穿电压为30V。而在电子产品制造及运输、存储等过程中所产生的静电电压远远超过CMOS器件的击穿电压,往往会使器件产生硬击穿或软击穿(器件局部损伤)现象,使其失效或严重影响产品的可靠性。

   电子产品制造中的静电源

   (1)人体静电

   人体的活动,人与衣服、鞋、袜等物体之间的摩擦、接触和分离等产生的静电是电子产品制造中主要的静电源之一。人体静电是导致器件产生硬(软)击穿的主要原因。人体活动产生的静电电压约为0.5~2kV。另外,空气湿度对静电电压的影响很大,因此在干燥环境中还要上升1个数量级。典型的相对湿度与人体活动带静电的关系。

   人体带电后触摸到地线,会产生放电现象,人体就会产生不同程度的电击感反应,反应的程度称为电击感度。不同静电压放电过程中人体的电击感度。

   (2)工作服

   化纤或棉制工作服与工作台面、坐椅摩擦时,可在服装表面产生6 000V以上的静电电压,并使人体带电。此时与器件接触时,会导致放电,容易损坏器件。

   (3)工作鞋

   橡胶或塑料鞋底的绝缘电阻高达l013Q,当与地面摩擦产生静电使人体带电。


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