低频目标阻抗通常由总瞬态电流和电源电压允许变化的幅度决定。因此，我们可HD64410F16以写出其中dV是允许的电源瞬态电压的变化量，dI是IC产生的瞬态电源电流的精度，k是一个校正因子，下一段中将讨论。

   假设我们关心的是VCC对地噪声尖峰和它们对电路工作的影响。我们可确定出当频率低于，时，只包含不超过so%的电流。因此，因为式(11-8)中所用的dI是总瞬态电流，所以低频目标阻抗可增加两倍。因此在这种情况下式(11-8)中我们可让k-2。这

个方法将限制总噪声电压尖峰低于目标阻抗乘以总瞬态电流。

   例如，考虑一个工作于5V电源，具有2ns上升／下降时间的大IC的去耦例子，这里保持最大电源偏差不超过电源电压的5%是合适的。也假设IC产生的总瞬态电流是2.5A。从具有k-2的式(11-8)中，我们得到一个200mfl的低频目标阻抗。假设每个去耦电容有lOnH的电感与之串联。频率高至l/7rt，时，目标阻抗将200m,Q，其对于2ns上升时间就等于159MHz，高于这个频率，目标阻抗可允许以20dBldec增加。目标阻抗如图11-17实线所示。

   从式（11-7）中我们可确定50个电容对于在159MHz满足200mQ的目标阻抗是必需的。

   如果关注的最低频率是2MHz，在2MHz处达到200mfl目标阻抗所需的总去耦电容将是400nF。将400nF除以50，得到每个电容的最小值是8000pF。在这个例子里，总电容也必须满足式（11-12）中的瞬态电流条件。如果设计者决定用64个0.OltiF的电容，阻抗随频率的变化将如图11-17中虚线所示。当高于1.3MHz的所有频率处，去耦网络将具有一个低于目标阻抗的阻抗值。