对各种电缆配置的磁场屏蔽性能进行了测试和比较，测试装置如图2-26所示，测试结 2SA711果如图2-27和图2-28所示。频率(50kHz)比所有试验电缆的屏蔽层截止频率大5倍以上。

   图2-27和图2-28中所示电缆是图2-26中所示的试验电缆L2。

   在图2-27中，电路A～F的两端都接地。它们的磁场衰减比图2-28中只有一端接地的电路G～K更小。

   图2-27中的电路A实质上没有提供磁场屏蔽。在这种情况下，在lMfl电阻器两端实际测量的噪声电压是0. 8V。以电路A结构中拾取的电压作为参考，定义为OdB，用来比较其他所有电路的性能。在电路B中，屏蔽层一端接地，这样对磁屏蔽没有影响。屏蔽层辆端都接地的结构C提供了一定的磁场防护，因为频率高于屏蔽层的截止频率。如果不是因为电路两端接地而形成接地回路，防护的效果会更好一些。磁场会感应很大的噪声电流进入由电缆屏蔽层和两个接地点组成的低阻抗接地回路。正如前一节中所提到的，屏蔽层噪声电流会在屏蔽层中产生噪声电压。

   在电路D中使用双绞线将会进一步降低磁场噪声，但是其效果被电路两端接地形成的回路破坏。这个效果可以通过比较电路H和D的衰减清楚地看到。电路E中给双绞线增加一端接地的屏蔽层没有效果。F中屏蔽层两端接地提供了额外的防护，因为低阻抗屏蔽层从信号导线分流了一些磁感应的接地回路电流。然而，一般情况下，因为接地回路，图2-27中的电路均未提供较好的磁场防护。如果电路必须两端接地，可以采用C或者F结构。