附图20-17所示是压敏TA48108BF电阻器等效电路等效电路中，Rn是晶界电阻，C是晶界电容，Rb是晶粒电阻。

   附图20-17压敏电阻器等效电路

   附图20-18是压敏电阻器伏．安特性曲线中的3个工作区示意图，它的3个工作区包括预击穿区、击穿区和上升区。

    附图20-18压敏电阻器伏．安特性曲线中的

    3个工作区示意图

   (1)预击穿区。在预击穿区域内，施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压，因此压敏电阻器相当于一个10MQ以上的绝缘电阻，这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级，压敏电阻器可看作为开路。该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态。

   在这个区，晶界电阻值远大于晶粒电阻值。

   (2)击穿区。压敏电阻器两端施加一个大干压敏电压的过电压时，压敏电阻器端电压的微小变化就可引起电流的急剧变化，压敏电阻器正是用这一特性来抑制过电压幅值和吸收或对地释放过电压引起的浪涌能量。

   在这个区，晶界电阻值与晶粒电阻值大小相当。

   (3)上升区。当过电压很大，通过压敏电阻器的电流约大于lOOA／cIri2咐，压敏电阻器的伏．安特性呈线性电导特性，在上升区电流与电压几乎呈线性关系（仁U/R。），压敏电阻器在该区域已经劣化，失去了其抑制过电压、吸收或释放浪涌的能量等特性。

    在这个区，晶界电阻值几乎不变。