晶体管的主要参数
发布时间:2014/2/13 20:46:02 访问次数:1548
(1)半导体二极管:普通二极管、 20CTQ150PBF整流二极管、开关二极管。主要参数包括最大整流电流J,M(mA)、最大反向工作电压L,。M(V)、反向击穿电压UBR (V)、最高工作频率厂M(MHz)、反向恢复时间£,(ns)。
稳压管的主要参数包括稳定电压U:(V),稳定电流Iz( mA)、最大稳定电流IZM、动态电阻r:(Q)、电压温度系数au:((%)/℃)、最大耗散功率PZM (W)。
(2)半导体三极管:半导体三极管的主要参数包括直流放大系数卢、穿透电流ICE(,(pLA)、集电极最大允许电流I。M(mA)、最大耗散功率P。M(rriW)、集一射极击穿电压U(BR,CEO (V)、截止频率厂,(MHz)。
半导体集成电路
1.半导体集成电路型号命名
半导体集成电路型号命名法,如表1.3. 12所示。
2.半导体集成电路的封装形式和管脚识别
按外形,半导体集成电路可分为圆型、扁平型和双列直插型。
对于圆型集成电路,识别时,面向引脚正视,从定位销顺时针方向依次为1,2,3,4,…如图1.3.6(a)所示。圆型多用于模拟集成电路。
对于扁平型和双列直插型,识别时,将文字符号标记正放(一般集成电路上有一圆点或缺口,将其置于左侧),由顶部俯视,从左下脚起,按逆时针方向依次为1,2,3,4,…如图1.3.6(b)所示。扁平型多用于数字集成电路,双列直插型广泛应用于模拟和数字集成电路。
(1)半导体二极管:普通二极管、 20CTQ150PBF整流二极管、开关二极管。主要参数包括最大整流电流J,M(mA)、最大反向工作电压L,。M(V)、反向击穿电压UBR (V)、最高工作频率厂M(MHz)、反向恢复时间£,(ns)。
稳压管的主要参数包括稳定电压U:(V),稳定电流Iz( mA)、最大稳定电流IZM、动态电阻r:(Q)、电压温度系数au:((%)/℃)、最大耗散功率PZM (W)。
(2)半导体三极管:半导体三极管的主要参数包括直流放大系数卢、穿透电流ICE(,(pLA)、集电极最大允许电流I。M(mA)、最大耗散功率P。M(rriW)、集一射极击穿电压U(BR,CEO (V)、截止频率厂,(MHz)。
半导体集成电路
1.半导体集成电路型号命名
半导体集成电路型号命名法,如表1.3. 12所示。
2.半导体集成电路的封装形式和管脚识别
按外形,半导体集成电路可分为圆型、扁平型和双列直插型。
对于圆型集成电路,识别时,面向引脚正视,从定位销顺时针方向依次为1,2,3,4,…如图1.3.6(a)所示。圆型多用于模拟集成电路。
对于扁平型和双列直插型,识别时,将文字符号标记正放(一般集成电路上有一圆点或缺口,将其置于左侧),由顶部俯视,从左下脚起,按逆时针方向依次为1,2,3,4,…如图1.3.6(b)所示。扁平型多用于数字集成电路,双列直插型广泛应用于模拟和数字集成电路。
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