去耦电容器通常有两个作用：蓄能；去除高频噪声。去耦电容器的主要作用是去除高频(如RF)信号的干扰。TMS320C6747CZKB4干扰是通过电磁辐射的方式进入的。

    集成电路在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而集成电路的电源引大，这样会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。在高频器件电源引脚处放置小电容以起去耦作用，可弥补此不足。在设计电路时，去耦电容器应放置在电源入口处，连线应尽可能短。

    在设计高速电路板时，通常在电路板的电源接入端放置一个I～lOVF的电容器，滤除低频噪声；在电路板上，每个器件的电源与地线之间放置一个O.Ol～O.lpt,F的电容器，滤除高频噪声。

    去耦电容器的充、放电作用使集成电路得到的供电电压比较平稳，减小了电压振荡现象，因此不会影响集成电路的速度：同时去耦电容器为集成电路的瞬态变化电流提供了各自就近的高强通道，从而大大减小了向外的辐射噪声且相互之间没有公共阻抗，因此抑制了公共阻抗耦合。

    由于去耦电容器在高频时的阻抗将会减小其自谐振频率，因而可以有效地去除信号线中的高频噪声，同时相对低频来说对能量没有髟响，所以可在每一个集成电路的电源地脚之间加一个大小合适的去耦电容器。在选择去耦电容器类型时，应考虑那些低电感的高频电容器，如高频性能较好的多层陶瓷电容器或独石电容器。