然后用万用表的黑表笔接源极，红表笔接QS3861PAG8漏极，测得其电阻值为5kQ，改用红表笔接源极，黑表笔接漏极，测得其电阻值均为∞，如图2.53(a)、(b)所示。

    (a)确定源极和漏极步骤1    (b)确定源极和漏极步骤2

    图2.53 VMOS场效应管源极和漏极的识别

    检测漏源通态电阻RD。( ON)。如图2.54所示（以检测N沟道型管为例），将栅极G与源极S短接，万用表选用Rxi挡，红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测得的正常阻值应为零点几欧至十几欧。2SK1507型VMOS场效应管资料上介绍的漏源通态电阻RD。( ON)为1 Q，实测值为12.8Q。

    图2.54测2SK1507型VMOS场效应管的漏源通态电阻

    实测数据表明，采用上述方法所测得的漏源通态电阻RD。（ON，值的离散性是比较大的。被测管的型号不同或所使用万用表的型号不同都会使测得的漏源通态电阻RD。。ON)有所差异。但只要所得值在零点几欧至十几欧范围内，就可认为是正常的。

    测试P沟道型管时，只要将红、黑表笔对调即可。