与双极型晶体管不同的是，金属一氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)电流的形成主要是电场作用的结果，而不是扩散作用的结果。它们是带有控制端的电阻，该控制端称为栅(gate)。电压直接施加在金属一氧化物一半导体(M()S)平行板电容（栅极）上，即电阻上的电压调制电阻两端沟道中的电荷分布情况（即阻值）。现代先进的MOSFET器件，即使利用多晶硅材料代替金属栅（图2.17），也命名为MOSFET。
    将负电压施加在一个N沟道MOSFET（即NMOS晶体管）的栅极上，如图2.17(a)所示，衬底中的多数载流子被吸引到栅极附近，使得载流子有效积累在该栅极表面附近，增加多数载流子的浓度。由于所有PN结都反向偏置，没有电流流过，也就认为该器件处于关哳状态。如图2. 17(b)所示，在栅极上施加一个小的正电压，将多数载流子P+推离表面，将电荷载流子表面下的区域耗尽，但是，仍然没有电流形成。在栅极上施加足够大的正电压，当大于器件的阈值电压时(如u>VT)，电荷载流子被从N+接触孔的位置吸引到栅极下面区域，将栅极下面区域充分反型，将N+端和N型沟道连通[图2.17(c)]，这也是该器件称为“N沟道”MOSFET的原因。进一步增大栅极电压，就会增加沟道中电荷载流子的浓度，也就相当于增加了器件的有效电导，即得到了所希望的晶体管动态工作特性。

          
    与电阻相同，沟道电阻是少数载流子迁移率的函数，随着沟道长度L的增加而增加，随着沟道宽度w的减小而增加。如前文所述，沟道电阻也随着栅极电压，（或者栅源电压）和栅氧化层电容的增加而减小。最后，流经器件的电流与沟道电阻R沟道（其关系如前文所述）成反比，与两端口上电压成正比(即漏源电压VI)S）.